Ebeam 100kV
Nosso objetivo é instalar uma ferramenta de litografia de feixe de elétrons de ponta capaz de fornecer nanolitografia de alta resolução, alto rendimento e grande área que deve alavancar a pesquisa no Estado de São Paulo para ser competitiva com instituições de classe mundial em diversas áreas, como ciência da informação quântica, fotônica integrada, spintrônica, nanoeletrônica, optomecânica, microfluídica e ciência dos materiais. As principais características técnicas da ferramenta proposta são:
- Uma tensão de aceleração de 100 kV, garantindo menor espalhamento de elétrons e, portanto, maior resolução mesmo para camadas espessas de resistes;
- Uma frequência de varredura de 125~MHz que permite a exposição de resistências de alta sensibilidade com tempos de gravação mais curtos (maior taxa de transferência);
- 1 mm x 1 mm camploamplo campo de escrita com tamanho de passo de feixe de 1~nm (20-bit DAC);
- Controle automático de abertura limitadora de feixe, foco de feixe e controle de astigmatismo (estigmatizador), permitindo longos tempos de exposição (de várias horas a alguns dias) devido à eficiente correção de desvio;
- Manuseio de wafers de até 6 polegadas e máscaras de fotolitografia de até 5 polegadas. Esta propriedade permite seu uso para aplicações que requerem grandes dispositivos (por exemplo, metalenses ópticos, dispositivos system-on-a-chip). Também garante que várias cópias dos dispositivos possam ser gravadas em uma única execução;
- Tamanho mínimo garantido de 8nm;
- 20 pA a 100 nA faixa dinâmica de corrente do feixe. Este recurso, junto com a alta frequência de varredura, garante escrita rápida em amostras maiores usando corrente de feixe múltiplo e resolução de escrita ajustável;
- 20 nm precisão de costura do campo de gravação. Este recurso permite escrever padrões amplos que abrangem mais de um campo de gravação sem interromper o padrão desejado; é uma propriedade essencial para estruturas fotônicas como guias de onda, cavidades, metalentes e outras;