ICP-RIE

Descrição

O ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) é um equipamento para corrosão seca assistido por plasma.
Atualmente o equipamento instalado no CCS é utilizado para corrosão de materiais Si e SiNx.
A característica principal do ICP com relação a os outros reatores de plasma é a adição de um indutor para melhorar a densidade do plasma, permitindo altas taxas de corrosão e melhor anisotropia.
Esse equipamento conta ainda com uma pré-câmara de transferência da amostra para a câmara principal e é equipado com refrigeração traseira do wafer assistida por He que permite o controle da temperatura do eletrodo.

Recursos

• Gases fluoretados: SF₆, C₄F₈, CF₄, CHF₃
• Outros Gases: Ar, O₂, H₂, CH₄, Cl₂
• Materiais: Si, SiNx, SiOx

Informações de segurança

Os gases utilizados no ICP são tóxicos, asfixiantes, inflamáveis e corrosivos.
Em caso de emergência favor contatar o responsável.

O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.

Exigências para uso

• Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de corrosão.
• Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.
• O limite máximo de agendamento por dia é de 4 horas seguidas e 10 horas por semana por usuário.
• Um ciclo de limpeza deve ser realizado após cada corrosão respeitando os materiais:
  • Materiais orgânicos: O₂ e SF₆
  • Materiais inorgânicos baseados em Si: SF₆
• É responsabilidade do usuário incluir o tempo de limpeza em seu período de agendamento.
• Checar a orientação do wafer: posicionar o chanfro à esquerda junto aos parafusos.
• Após finalizar o uso do equipamento:
• Faça LOG OUT.
• Informe ao técnico responsável do término do processo para que ele possa esvaziar a linha de gases perigosos (CH4, H₂, Cl₂).

Restrições de materiais

Metais com alta pressão de vapor não são permitidos. (índio, chumbo, TiO, etc.)

Metais incompatíveis com processo CMOS (ouro, cobre, cromo, etc.)

Alguns metais são permitidos – favor verificar com o técnico responsável.

Se for necessário corroer vidro com impurezas, contatar o responsável.

Se utilizar um wafer de 4 polegadas completamente coberto com resite, favor remover de 5 à 10 mm das bordas.
Isto é necessário para que o wafer possa ter um melhor contato térmico com seu porta wafer.

Apenas wafers de 4 polegadas podem ser inseridos para corrosão ou usados como suporte para pequenas amostras (carrier wafer).

• Cacos necessitam ser colados com pasta térmica em carriers wafers de 4 polegadas.
• Verifique a espessura do carrier wafer antes de fazer qualquer corrosão para evitar que este se estilhace dentro da câmara.

Restrições de parâmetros para uso

Apenas executar receitas padrão.

Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável

Não alterar a temperatura das receitas.