Equipamento: Horizontal Low Pressure Chemical Vapor Deposition
Responsável: Audrey Silva
Co-responsável: Fred Cioldiin
Financiamento:
Descrição
O sistema de LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), é um reator do tipo forno convencional aquecido por resistência elétrica.
A deposição dos filmes sólidos é executada através da energia térmica fornecida pela resistência aos reagentes gasosos em temperaturas de aproximadamente 800°C e em baixa pressão (0,25 a 2,0 Torr).
É utilizado para a deposição de nitreto de silício e silício poli-cristalino.
Recursos
Gases: SiH₄, SiCl₂H₂, NH₃, O₂, N₂
Informações de segurança
Os gases utilizados são pirofóricos, tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.
O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.
Exigências para uso
- Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
- Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.
Restrições de materiais
Apenas wafers de silício são permitidos na câmara.
A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (resistes, metais, filmes depositados, etc.) não será permitida devido a temperatura.
Restrições de parâmetros para uso
Apenas executar receitas padrão.
Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável.