Equipamento: Oxford NGP-80 (link externo)
Responsável: Fred Cioldin
Co-responsável:
Financiamento: CNpQ (Proc. 550504/2012-5)
Descrição
O PECVD (Plasma Enhanced Chemichal Vapor Deposition) é utilizado para deposições assistidas por plasma.
Os precursores gasosos são inseridos numa câmara com baixo vácuo, e através da energia proveniente do plasma, dissociam-se e reagem na superfície da amostra depositando o filme fino.
O PECVD é utilizado para depositar Nitreto de Silício, Óxido de Silício e Oxinitreto de Silício.
Recursos
- Gases fluoretados: CF4
- Outros Gases: SiH4 (100%), NH3, N2O, N2
- Materiais: SiNx, SiOx, SiOxNy
- Taxa de deposição: 150 a 900 Å/min
Informações de segurança
O PECVD é utilizado a temperaturas de até 400°C.
Cuidado ao carregar e descarregar a câmara.
Os gases utilizados são pirofóricos, tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.
O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.
Exigências para uso
Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.
O ciclo de limpeza deve ser realizado após cada deposição.
É responsabilidade do usuário incluir o tempo de limpeza em seu período de
agendamento;
Após finalizar o uso do equipamento:
- Faça LOG OUT.
- Informe ao técnico responsável do término do processo para que ele possa esvaziar a linha de gases tóxicos.
Restrições de materiais
Apenas wafers de silício são permitidos na câmara.
A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (resistes, metais, filmes depositados, etc.) deve passar pela aprovação do técnico responsável.
Restrições de parâmetros para uso
Apenas executar receitas padrão. Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável