Equipamento: Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition
Responsável: Audrey Silva
Co-responsável:
Financiamento:
Descrição
O ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance Chemichal Vapor Deposition) é utilizado para deposições assistidas por plasma de alta densidade, a alta densidade de plasma é estabelecida pela fonte ECR de (2,54 GHz).
As deposições são executadas em temperatura ambiente (20°C).
O ECR-CVD é utilizado para a deposição de nitreto de silício, óxido de silício, silício amorfo.
Recursos
Gases: Ar, SiH₄, H₂, N₂, SF₆, O₂
Informações de segurança
Os gases utilizados são pirofóricos, tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.
O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.
Exigências para uso
- Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
- Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.
Restrições de materiais
São permitidos na câmara apenas mateiras compatíveis com CMOS.
A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (ouro, polímeros, etc) deve passar pela aprovação do técnico responsável.
Restrições de parâmetros para uso
Apenas executar receitas padrão.
Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável.