Equipamento: Oxford NGP-80 (link externo) – Recursos: CNpQ (Proc. 550504/2012-5)
Responsável: Fred Cioldin
Co-Responsável:
Descrição: O PECVD (Plasma Enhanced Chemichal Vapor Deposition) é utilizado para deposições assistidas por plasma. Os precursores gasosos são inseridos numa câmara com baixo vácuo, e através da energia proveniente do plasma, dissociam-se e reagem na superfície da amostra depositando o filme fino. O PECVD é utilizado para depositar Nitreto de Silício, Óxido de Silício e Oxinitreto de Silício.
Recursos disponíveis:
Gases fluoretados: CF4;
Outros Gases: SiH4 (100%), NH3, N2O, N2,
Materiais: SiNx, SiOx, SiOxNy;
Taxa de deposição: 150-900 A/min;
Restrições: Ver regra de uso;
Outras informações: NGP-80.