Dual FIB: FEI Nanolab 200 – Processo FAPESP 04/09324-4 (PROEM)
O sistema FIB-SEM é considerado como uma ferramenta essencial para fabricação das novas gerações de MEMS e NEMS (Micro and Nano Electrical Mechanical Systems), pois esse sistema permite gravar padrões na superfície diretamente, sem o uso de máscaras, possibilitando a prototipagem rápida de dispositivos, pode ser usado para a deposição de metais e dielétricos e além disso pode obter imagens de alta resolução através de microscopia eletrônica de varredura. Características: Feixe duplo (focused ionbeam – scanningelectronmicroscope), contend feixe de ions Ga 30 kV, diametro mín. 7 nm e feixe de eléctrons 30 kV, mín. 1-2 nm. Operacional desde 2005
Raith eLine: Sistema de litografia por feixe de elétrons;
Raman/AFM: Equipamento integrado: espectrômetro Raman confocal + microscópio AFM (atomic force microscope), NT-MDT, Ntegra-Spectra. Raman: lasers He-Ne (632.8 nm) 50 mW e do estado sólido UV (473 nm) 50 mW, resolução ~ 300-450 nm, grades 150 a 1800 l/mm, detetor CCD. Operacional desde 2006
Karl Zuss – MJB4: Fotoalinhadora de dupla face, permite fazer litografia em dois lados de wafer de Si, resolução mín. 0.5 um. Operacional desde 2009.
Karl Zuss – MJB3: Fotoalinhadora com resolução de até 1 um.
Sistemas de deposição por Plasma:
Reator CVD: Reator CVD horizontal, com deposição de filmes por vapores químicos (CVD): Si/Ge poli-cristalino e epitaxial, Si3N4 e outros, em substratos de Si. Operacional desde 2004.
PECVD: Oxford NGP-80
PECVD: Si, Ge, SiO2 e Si3N4;
Sistemas de corrosão por Plasma: Oxford Plasma-100, ICP (Si, Ge, SiO2 e Si3N4)
Sistemas de metalização à vácuo: Feixe de elétrons, térmicos e sputtering;
Sistemas de tratamento térmico: Tratamentos térmicos rápidos (RTP), Fornos de oxidação de 3 e 4”.
Secagem por ponto crítico: CPD tousimis 951;
Capelas Químicas: Limpeza, RCA, Corrosão: Reator KOH: para componentes microeletromecânicos.
Implantador de íons: (para lâminas de 3” de diâmetro)
Montagem/encapsulamento: Metalização eletrolítica e química, Solda de fita e fio de ouro e Estação de adesão e micro-posicionamento
Caracterização Óptica e morfológica: Elipsometria, Perfilometria, Microscopia Óptica, Análise espectral (transmissão e reflexão);
FTIR:
Caracterização elétrica: Caracterização DC completa; Caracterização RF (45 MHz-75 GHz) e Analisador de parâmetro de rede.