Dual FIB: FEI Nanolab 200: The FIB-SEM system is regarded as an essential tool for manufacturing the new generations of MEMS and NEMS (Nano and Micro Electrical Mechanical Systems), essentially this system allows you to record patterns on the surface directly, without the use of masks, allowing rapid prototyping of devices, can be used for the deposition of metals and dielectrics and moreover can obtain high resolution images by scanning electron microscopy. Features: Dual beam (focused ion beam – scanning electron microscope); Ga ion beam 30 kV, diameter min. 7 nm and 30 kV electron beam, min. 1-2 nm. Operational since 2005
Raith e-Line 150: Sistema de litografia por feixe de elétrôns
Raman/AFM: Equipamento integrado: espectrômetro Raman confocal + microscópio AFM (atomic force microscope), NT-MDT, Ntegra-Spectra. Raman: lasers He-Ne (632.8 nm) 50 mW e do estado sólido UV (473 nm) 50 mW, resolução ~ 300-450 nm, grades 150 a 1800 l/mm, detetor CCD. Operacional desde 2006
Karl Zuss – MJB4: Fotoalinhadora de dupla face, permite fazer litografia em dois lados de wafer de Si, resolução mín. 0.5 um. Operacional desde 2009.
Karl Zuss – MJB3: Fotoalinhadora com resolução de até 1 um.
Sistemas de deposição por Plasma:
Reator CVD: Reator CVD horizontal, com deposição de filmes por vapores químicos (CVD): Si/Ge poli-cristalino e epitaxial, Si3N4 e outros, em substratos de Si. Operacional desde 2004.
PECVD: Oxford NGP-80
PECVD: Si, Ge, SiO2 e Si3N4;
Sistemas de corrosão por Plasma: Oxford Plasma-100, ICP (Si, Ge, SiO2 e Si3N4)
Sistemas de metalização à vácuo: Feixe de elétrons, térmicos e sputtering;
Sistemas de tratamento térmico: Tratamentos térmicos rápidos (RTP), Fornos de oxidação de 3 e 4”.
Secagem por ponto crítico: CPD tousimis 951;
Capelas Químicas: Limpeza, RCA, Corrosão: Reator KOH: para componentes microeletromecânicos.
Implantador de íons: (para lâminas de 3” de diâmetro)
Montagem/encapsulamento: Metalização eletrolítica e química, Solda de fita e fio de ouro e Estação de adesão e micro-posicionamento
Caracterização Óptica e morfológica: Elipsometria, Perfilometria, Microscopia Óptica, Análise espectral (transmissão e reflexão);
FTIR:
Caracterização elétrica: Caracterização DC completa; Caracterização RF (45 MHz-75 GHz) e Analisador de parâmetro de rede.