Resultados dos Dispositivos Fabricados
As ilustrações mostram a lâmina durante e ao final do processo. As imagens foram feitas em microscópio óptico, adequadamente iluminado. Clique sobre a foto desejada:
Lâmina após máscara #1 | Flip-flop após máscara #2 |
Transistor, máscara #2 | Flip-flop, máscara #4 (final do processo) |
Transistor, máscara #4 | "Cruz Grega", máscara #4 |
As figuras abaixo foram obtidas na seção de medidas com auxílio do traçador de curvas HP4145B, e mostram as curvas características dos transistores fabricados pelos alunos.
Curvas características para VGS = 0, -1.5 , -3 ,-4.5 , -6 , -7.5 e -9 V
Efeito de Corpo e VT, para VBS = 0, 2 e 4 V
Característica sqrt(ID) x VG para encontrar VT
Utilizando o traçador de curvas, foram obtidos os valores das capacitâncias máxima (região de acumulação) e mínima (região de depleção). Estas capacitâncias são utilizadas no cálculo de vários outros parâmetros.
Valores
Medidos
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Cmax = 130
pF
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Cmín
= 25 pF
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Área
= 2,5 x 10-3 cm2
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Também foram obtidas curvas C x V para os chips didáticos comerciais, utilizando o HP4145B:
Característica C x V para VBS = 0, 1 e 2 Volts