Roteiro de Medidas de Caracterização do Chip Teste pMOS
Caracterização do
diodo pn (quadrado próximo ao "pad" do capacitor):
Curva I x V em escala linear
e logaritmo
Determine fator de idealidade
e resistência série
Determine a tensão
de "breakdown", se possível.
Meça valor da corrente
reversa e da sua densidade de corrente para VD = 5 V. Compare
com valores obtidos em outros dispositivos e com o das outras lâminas
processadas. Comente sobre o valor obtido.
Curva C x V do capacitor MOS:
Determine espessura do óxido
Determine a dopagem do substrato
Determine a carga efetiva
de interface
Determine o valor de VT
Caracterização dos
2 transistores MOS:
Curvas características
Curva ID x VGS e gm x VGS
para VDS = -0.1V e VBS = 0.0, 2.0 e 4.0 V
Determine valor de VT,
mobilidade e fator de corpo (veja se confere com o valor da dopagem de substrato
obtido no item anterior).
Curva SQRT (ID) x
VGS, com VDS = VGS, VBS = 0.0
Determine valor de VT
e compare com valor obtido acima.
Curvas de ID x VGS
em região sub-limiar, com VDS = -0.1, -2 e -4 V, VBS
= 0.0.
Determine o inverso da inclinação
da curva em mV/década.
Caracterização do
resistor tipo cruz Grega
Meça V/I da cruz com
4 terminais e determine a resistência por quadrado. Compare com os
valores do caco teste medido durante o processamento.
Meça V/I do resistor
comprido com 4 terminais, passando corrente peor 2 mais distantes e medindo
a tensão pelos 2 terminais mais internos. Do valor desta resistência,
determine a largura da linha e compare com o valor nominal de máscara
(se disponível).
Caracterização do
circuito lógico fabricado:
Desenhe o esquema elétrico
do circuito através da análise das fotografias e identifique
o tipo de flip-flop.
Faça a medida funcional
do circuito, usando VDD = -5V, VGG = -10V e pulsos
de 0 a –5V nas 3 entradas do circuito (na falta de geradores pode ser uma
medida estática, com fontes DC e variação manual nas
entradas)
