A implantação iônica é realizada por meio de um acelerador de partículas, específico para esta finalidade, chamado implantador GA-4204 EATON. São implantados íons de Boro, para formação de regiões p+ nas áreas de fonte e dreno, e são implantados íons de Fósforo nas costas da lâmina, para melhorar o contato com o substrato.

Os parâmetros de implantação são:

• ¹¹B⁺, E = 50 keV, 5 x 10¹⁵ cm^-2 para as regiões p+ ;
• ³¹P⁺, E = 50 keV, 5 x 10¹⁵ cm^-2, nas costas da lâmina.

A lâmina é inserida no implantador em ângulo específico para evitar a canalização de íons.