O etch do óxido é feito utilizando-se uma solução contendo HF e NH₄F, também chamada de "Buffer". Esta solução corrói o óxido de silício a uma taxa de 1000 ângstrons por minuto. A lâmina não deve permanecer em contato com a solução após a visível remoção do óxido.

Verificar a lâmina no microscópio e fazer o etch nos cacos T3 e T4.