Ementa Detalhada
1. Introdução
·
Revisão de conceitos de semicondutores e dispositivos MOS
· Descrição de integração de processos.
· Evolução e aplicações de tecnologias de
microfabricação.
2. Descrição de etapas de processos de microfabricação:
·
Limpeza de amostras
· Oxidação térmica
· Fotogravação
· Difusão e implantação de íons
· Deposição de filmes finos por técnicas de CVD
e PVD
· Corrosão por plasma
3. Fabricação de chip teste contendo dispositivos MOS:
Ver
descrição do processo.
(cada grupo de 3 alunos terá duas lâminas de Si e fará parte
da fabricação pessoalmente e acompanha outras etapas feitas por
técnicos do laboratório).
4. Caracterização de materiais e de etapas de processo:
·
Medida de espessura de lâminas
· Medida do tipo de condutividade de semicondutores
· Medida de resistência de folha e de resistividade
· Medida de espessura de óxido por interferômetro
· Medida de espessura de degraus por perfilômetro
· Medida de profundidade de junção
5. Caracterização de dispositivos fabricados (ver roteiro de
medidas I):
·
Curva C-V de capacitor MOS e extração de parâmetros
· Curvas características de transistores MOS e extração
de parâmetros
· Medida de resistores e determinação de resistência
de folha e largura de linha
· Medida de circuito lógico.
6. Caracterização de dispositivos de 4 chips didáticos
comerciais (ver roteiro de medidas II):
·
Medidas de resistores e efeito Hall
· Medidas de diodos
· Medidas de diodos controlados por porta
· Medidas de transistores nMOS e pMOS
· Medida de circuito oscilador em anel.
7. Projeto de processo/dispositvo e de CI´s
·
Simulação de processos por SUPREM
· Conceitos de projeto de CI´s MOS
· Simulação de blocos de CI´s por programa SPICE
· Desenho de layout de CI´s com CAD
· Outras ferramentas de projeto de CI´s.